Не имеет аналогов в мире: светодиод для СКИФа создается в Новосибирской области

Вакуумный спин-поляризованный светодиод, который будет применяться в исследовательских станциях ЦКП «СКИФ», образец лазера на «квантовых точках», который в будущем может быть применен для устройств телекоммуникации, систем связи, передачи информации по оптоволокну – эти и иные прототипы устройств для реального сектора экономики на основе результатов научных исследований создаются в Институте физики полупроводников (ИФП) им. А.В. Ржанова СО РАН.

Разработки мирового уровня ведутся, в том числе, в молодежных лабораториях, с привлечением грантов Российского научного фонда и Правительства Новосибирской области. В рамках состоявшегося пресс-тура 12 мая перспективные разработки Института физики полупроводников СО РАН журналистам и министру науки и инновационной политики Новосибирской области Вадиму Васильеву представил директор института академик Александр Латышев.  
 
Как отметил Вадим Васильев, ИФП СО РАН – ключевая точка развития современной микроэлектроники. «Новосибирск исторически играет важную роль в создании электронных устройств, приборов, компонентов, теперь к ним добавляются устройства фотоники и появляется возможность создания современного промышленного комплекса совершенно нового технологического уровня, – отметил министр. – Грантовая поддержка, оказываемая Правительством региона, позволяет ежегодно продвигать несколько десятков проектов от стадии идеи до проверки научных методик, созданию опытного образца. Затем включаются другие механизмы поддержки, в частности, субсидии на трансфер технологий, которые, в 2023 году решением Губернатора Новосибирской области увеличены почти в два раза – с 70 до 170 миллионов рублей. Эти средства стимулируют бизнес вкладываться в НИОКР, создавать опытные производства, мотивируют промышленность и науку находить индустриальных и научных партнеров».  
 
В числе примеров разработок – в созданной в ноябре 2022 года в рамках национального проекта «Наука и университеты» молодежной лаборатории аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов создаются новые технология синтеза кристаллических пленок на основе нитрида галлия алюминия на кремниевых подложках. Такой материал востребован при создании силовых транзисторов, используемых в силовой электронике, систем беспроводной зарядки носимой электроники и медицинских приборов, транзисторов, применяемых в линиях связи нового поколения (5G, 6G) и прочих телекоммуникационных системах.  
 
В лаборатория физики и технологии гетероструктур ИФП СО РАН по совместному гранту РНФ и Правительства региона ведутся работы по созданию новых квантовых материалов и наносистем для твердотельной и вакуумной спинтроники и оптоэлектроники. Здесь разработан новый прибор — вакуумный спин-поляризованный светодиод, который будет применяться в исследовательских станциях ЦКП «СКИФ», других установках, используемых в фундаментальной науке. Это же устройство – первый шаг к созданию электроники нового поколения: полупроводниковых вакуумных спинтронных устройств. Пока в мире его аналогов не существует.  
 
В лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии создается образец лазера на «квантовых точках». Это принципиально новый подход в создании лазеров, которые могут быть применены для устройств телекоммуникации, систем связи, передачи информации по оптоволокну. На сегодняшний день подобные лазеры не производятся в РФ, и создание отечественных эффективных устройств необходимо для обеспечения независимости отечественного рынка в рамках реализации политики импортозамещения.  
 
Александр Латышев особо отметил устойчивое сотрудничество ИФП СО РАН с промышленными предприятиями региона, а также меры поддержки, оказываемые областным Правительством научной организации.  
 
 

Для справки  
Национальные проекты реализуются в соответствии с Указом Президента РФ Владимира Путина от 7 мая 2018 года №204 «О национальных целях и стратегических задачах развития Российской Федерации на период до 2024 года», а также с Указом Президента РФ Владимира Путина от 21 июля 2020 г. №474 «О национальных целях развития Российской Федерации на период до 2030 года». Подробная информация – на сайте национальные проекты.рф 

Источник: сайт Правительства НСО.